10.13228/j.boyuan.issn1006-6543.20150030
SiC颗粒的氧化行为研究
研究了SiC颗粒氧化前后的微观形貌及元素变化,SiC颗粒氧化增重趋势及其影响因素.结果表明:氧化反应使SiC颗粒形貌发生很大改变,对SiC颗粒有钝化作用,使其失去了很尖锐的边角,更趋于圆滑;氧化后SiC颗粒表面有SiO2生成;氧化前期SiC氧化增重随氧化时间的延长和氧化温度的升高而呈线性关系增加,氧化速度主要受界面化学反应速率影响,氧化后期氧化增重缓慢,受O2和CO等在表层氧化膜中的扩散速率控制.并提出了一种简单估算SiC颗粒氧化层厚度的公式.
SiC颗粒、氧化反应、氧化速度、氧化膜
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TG1;TF8
国家自然科学基金资助项目51371077
2016-04-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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