SiC颗粒的氧化行为研究
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.13228/j.boyuan.issn1006-6543.20150030

SiC颗粒的氧化行为研究

引用
研究了SiC颗粒氧化前后的微观形貌及元素变化,SiC颗粒氧化增重趋势及其影响因素.结果表明:氧化反应使SiC颗粒形貌发生很大改变,对SiC颗粒有钝化作用,使其失去了很尖锐的边角,更趋于圆滑;氧化后SiC颗粒表面有SiO2生成;氧化前期SiC氧化增重随氧化时间的延长和氧化温度的升高而呈线性关系增加,氧化速度主要受界面化学反应速率影响,氧化后期氧化增重缓慢,受O2和CO等在表层氧化膜中的扩散速率控制.并提出了一种简单估算SiC颗粒氧化层厚度的公式.

SiC颗粒、氧化反应、氧化速度、氧化膜

26

TG1;TF8

国家自然科学基金资助项目51371077

2016-04-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

14-19

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

粉末冶金工业

1006-6543

11-3371/TF

26

2016,26(1)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn