10.3969/j.issn.1006-6543.2012.05.006
Al-50Si合金电子封装材料的热压法制备及性能表征
本文采用热压法制备了一种性能优良的Al-50Si合金电子封装材料.通过比较不同烧结工艺下烧结体的密度,获得了制备该合金的最佳烧结工艺:低温(460℃)压制压力100MPa、烧结温度800℃、烧结时间2h,热等静压工艺参数:温度540℃、压力200 MPa,保温保压4h.对在最佳烧结工艺条件下,经过热等静压处理后的材料进行了性能表征,具体性能:相对密度达到99%,抗弯强度223 MPa,硬度153HB,热膨胀系数在0~200℃达到9.3×10- 6/K,热导率达到142 W/(m·K).
Al-Si合金、热压、电子封装、热导率、热膨胀系数
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TG146.2(金属学与热处理)
国家高技术研究发展计划863计划资助项目2007AA03Z301;国家重点基础研究发展规划973计划资助项目2007CB9-36001;国家自然科学基金资助项目20771032;国家教育部"新世纪优秀人才支持计划"资助项目NCET-04-0561;总装重点创新项目7130703
2012-12-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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