AlN-SiC复合衰减材料的制备及其微波衰减性能
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3969/j.issn.1006-6543.2008.04.004

AlN-SiC复合衰减材料的制备及其微波衰减性能

引用
以氮化铝、不同晶体类型的碳化硅为原料,采用热压烧结工艺,在1 900~1 950℃,氮气气氛下制备AlN-SiC复合材料.采用网络分析以及激光热导仪等检测仪器,研究了热压烧结制备的材料的微波衰减性能及导热性能.研究结果表明:采用热压烧结工艺可以在1 900~1 950℃(2制备组织致密均匀的AlN-SiC复合材料;采用α-SiC为原料的AlN-SiC复合材料具有适当的介电性能和良好的导热性能,有望替代大功率真空电子设备中的BeO基衰减材料.

AlN-SiC复合材料、衰减性能、导热性能

18

TN1;TB7

2008-09-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

16-19

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

粉末冶金工业

1006-6543

11-3371/TF

18

2008,18(4)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn