10.3969/j.issn.1006-6543.2006.06.006
SHS法工艺参数对制备氮化硅粉体的影响
本文采用自蔓燃高温合成方法(Self-propagating High-temperature Synthesis)简称(SHS)合成氮化硅粉体,借助于XRD、SEM等检测方法,分析了自蔓燃高温合成氮化硅过程中氮气、温度、稀释剂与孔隙率等方面的影响.结果表明:只要最高燃烧温度不高于相应氮气压力下Si3N4的热分解温度,就可以用SHS方法合成Si3N4;氮气压力下硅粉的自蔓燃合成反应,必须要引入Si3N4稀释剂,来控制反应温度,以获得高α相含量的粉体.压坯气孔率控制在30%~70%,否则反应不能进行.研究发现SHS法可以制备纯度较高的氮化硅粉体.此法较传统方法合成的氮化硅设备简单,成本低廉,纯度高,填充性及烧结活性好.
自蔓燃高温合成、α-Si3N4、β-Si3N4
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TF1(冶金技术)
国家科技攻关计划2003DFBA0010
2007-01-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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