Co/ITO电极检测谷胱甘肽的研究

摘要：

采用离子注入的方法,将钴离子(Co)直接注入到氧化铟锡(ITO)导电玻璃电极表面,制得纳米钴修饰电极(Co/ITO).通过循环伏安法(CV)、X-射线光电子能谱法(XPS)以及扫描电子显微镜(SEM)等方法对纳米钴修饰电极表面进行了表征.以Co/ITO为工作电极,在0.1 mol L-1NaOH溶液中,峰电流与谷胱甘肽(GSH)浓度在1.0× 10-7 mol·L-1～2.0×10-6mol·L-1之间呈线性关系,检出限为1.0×10-7 mol·L-1.纳米钴修饰电极还体现了良好的稳定性和重现性,可用于实际样品中谷胱甘肽的检测.

关键词：纳米钴、离子注入、修饰电极、谷胱甘肽

所属期刊栏目：25

分类号：O657.7(分析化学)

在线出版日期：2016-07-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：7-13