改进的挥硅-ICP-MS法测定高纯四氯化硅中金属杂质

摘要：

本文对钛厂回收副产物高纯四氯化硅中的9种金属杂质进行了测定.采用密封针管取样,转移塑料挥气瓶中,恒温水浴锅控制温度(57℃)通入干燥惰性气体(N2),在塑料挥气瓶挥去基体四氯化硅,富集的金属加入硝酸转变成溶液后定容,用电感耦合等离子质谱法(ICP-MS)直接测定其中Pb、Zn、Mn等9种微量金属杂质.用Rh做内标元素补偿基体效应和灵敏度漂移.样品的加标回收率为98.15～102.0%,相对标准偏差(RSD)为0.9%～3.5%,检出限为0.009～0.05μg/L.

关键词：高纯四氯化硅、ICP-MS、金属杂质

所属期刊栏目：15

分类号：O657.3(分析化学)

资助基金：财政部产业技术成果转化项目05063

在线出版日期：2006-12-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：7-9