10.13801/j.cnki.fhclxb.20200922.006
聚偏氟乙烯基复合材料的制备及介电性能
为有效改善聚合物基复合材料的介电性能,兼顾高介电常数和低填料量同时并存,采用以聚偏氟乙烯(PVDF)为基体树脂,钛酸钡(BT)和石墨烯(GNP)分别为介电填料和导电填料,在BT-GNP/PVDF复合体系内部构建微电容器结构.采用溶液法和热压法制备GNP/PVDF薄膜和BT-GNP/PVDF复合薄膜.结果表明,BT和GNP填料在BT-GNP/PVDF复合薄膜中能够均匀分散,在薄膜内能形成明显的微电容器结构.陶瓷填料BT的引入,使微电容器结构更有利于提高BT-GNP/PVDF复合薄膜的介电常数.BT含量大于50wt%的BT-GNP/PVDF复合薄膜介电常数均不低于GNP/PVDF薄膜.BT含量为50wt%的BT-GNP/PVDF复合薄膜的介电常数高于BT含量分别为35wt%、60wt%和70wt%的BT-GNP/PVDF复合薄膜,最大值约为43,相当于GNP含量为0.8wt%的GNP/PVDF薄膜的1.5倍;BT含量为50wt%的BT-GNP/PVDF复合薄膜损耗角正切均小于其他体系薄膜,最大不超过0.09,最小约为0.02.BT-GNP/PVDF复合薄膜的电导率变化趋势基本一致,没有明显差异.
聚偏氟乙烯、石墨烯、钛酸钡、微电容器、介电性能
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TB332(工程材料学)
黑龙江省自然科学基金E2018040
2021-06-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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