Si3N4原位增强Cu基复合材料的制备

摘要：

采用感应炉熔炼及水雾化工艺制得了Cu-Si合金粉末,经N2、H2混合气体选择氮化和真空放电等离子烧结(SPS)成型,制备得到了Si3 N4原位增强Cu基复合材料(Si3N4/Cu),利用萃取法研究了选择性氮化产物及其晶体结构.结果表明:复合粉末中N含量随氮化温度的升高和氮化时间的延长而增大.在1 000℃下氮化,持续时间大于60 h时,粉末中的N含量明显提高;Cu的衍射峰出现整体向大角度方向的明显偏移,同时晶格常数变小,表明Si从Cu基体中脱溶,与N反应生成Si3N4;Si3N4/Cu复合材料的增强体以β-Si3N4为主;随着氮化温度的升高和氮化时间的延长,Si3N4/Cu复合材料的电导率和硬度逐步提高.

关键词：复合材料、Cu基、原位增强、Si3N4、制备

所属期刊栏目：32

分类号：TB331(工程材料学)

在线出版日期：2017-01-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：458-464