氢化及沉积温度对掺铝ZnO透明导电薄膜性能影响

摘要：

采用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上制备了掺铝ZnO透明导电薄膜（AZO）。为了降低AZO薄膜的电阻率, 采用在溅射气氛中通入一定比例H2的方法对AZO薄膜进行氢化处理, 并研究了溅射气氛中H2含量及衬底温度对AZO薄膜氢化效果的影响。结果表明： 在低温条件下, 氢化处理能有效降低AZO薄膜的电阻率; 在衬底温度为100℃的低温条件下, 通过调节溅射气氛中H2的比例, 制备了电阻率为6.0×10^-4 Ω·cm的高质量氢化AZO薄膜, 该电阻值低于同等条件下未氢化AZO薄膜电阻值的1/3; 但随着衬底温度的升高, 氢化处理对薄膜电学性能的改善效果逐渐减弱。

关键词：AZO薄膜、射频磁控溅射、氢化、衬底温度、电阻率

所属期刊栏目：29

分类号：TB332;TQ34(工程材料学)

资助基金：国际合作项目2009DFR50160, 2009DFR50350;哈尔滨市重点技术研发项目2009AA2BG022, 2009AA1BE093

在线出版日期：2012-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：83-87