静电纺丝技术制备NiO-ZnTi03-Ti02同轴三层纳米电缆及其形成机制

摘要：

采用静电纺丝技术，通过改进实验装置，在最佳的纺丝条件下制备了[Ni（CH3C00）2＋PVP]-[Zn（CH3C00）2＋PVP]-FTi（OC4H9）4＋CH3C00H＋PVP]前驱体复合电缆，在600℃下将其进行热处理，制备出了NiO-ZnTiO3-Ti02同轴三层纳米电缆。采用热重一差热（TG-DTA）、X射线衍射（XRD）、傅里叶变换红外光谱（FTIR）、扫描电子显微镜（sEM）和透射电子显微镜（TEM）等分析技术对样品进行了表征。对NiO-ZrlTiO3-TiQ同轴三层纳米电缆的形成机制进行了讨论。结果表明，所得产物为NiO-ZnTiO3-TiO2同轴三层纳米电缆。芯层为NiO，直径大约为（42．024±4．405）nm；中间层为ZnTiO3，厚度大约为（55．385±7．681）niTl；壳层为TiO2，厚度大约为（70．747±7．373）nm。

关键词：NiO-ZnTiO3-TiO2、同轴三层纳米电缆、静电纺丝技术、形成机制

所属期刊栏目：29

分类号：TB332(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金;吉林省科技发展计划重大项目;教育邵科学技术计冤重点项目;长春市科学计划项目;吉林省教育厅“十一五”可约激活素研究项目

在线出版日期：2012-06-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：122-128