包埋法制备SiC涂层内残留Si的高温抗氧化作用机制

摘要：

采用包埋法在C／C基体上制备了SiC涂层，借助X射线衍射仪（XRD）和扫描电镜（SEM）对涂层的相组成及微观形貌进行了观察和分析，研究了涂层在1500℃静态空气中的氧化行为，并进一步阐述了涂层的抗氧化机制。结果显示：包埋法制备的涂层由α-SiC、β-SiC及游离Si组成，经XRD半定量分析得到不同工艺制备的涂层中游离Si含量不同；游离Si含量越高涂层越致密；氧化性能显示涂层中适量的游离Si有利于涂层的抗氧化，当涂层中游离Si质量分数为1．3％和2．9％时其抗氧化性能均较好，在1500℃静态空气中氧化7h失重率分别为0．19％和0．16％。

关键词：C/C复合材料、包埋法、SiC涂层、残余Si、抗氧化机制

所属期刊栏目：29

分类号：TB332(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金50721003

在线出版日期：2012-06-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：91-97