C/SiC复合材料盲孔缺陷深度的红外热成像定量测量
利用在三维针刺C/SiC复合材料板上设计不同直径和深度的盲孔作为试样,模拟材料表面下的孔洞缺陷。采用红外热成像技术对试样盲孔缺陷进行检测,获得盲孔缺陷信息,通过最大温差法和InT—Int陆线二阶导数最大值法两种分析方法测量盲孔的深度并分析所产生的误差。结果表明:两种方法都可以实现对盲孔缺陷深度的定量测量,但产生的测量误差存在差异;当径深比为1~4.4时,采用最大温差法的误差明显小于InT—Int曲线二阶导数最大值法,而InT—Int曲线二阶导数最大值法的测量精度虽然稍低,但该方法所适用的径深比范围较宽,并且测量误差随着盲孔径深比的增大而减小。
红外热成像、C/SiC复合材料、盲孔缺陷、深度
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TB332(工程材料学)
国家自然科学基金;西北工业大学基础研究基金
2012-04-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
137-141