低热膨胀系数纳米碳化硅/聚酰亚胺复合薄膜的制备与性能

摘要：

以原位分散聚合法制备出纳米碳化硅/聚酰亚胺（n-SiC/PI）复合薄膜,采用SEM、热机械分析仪（TMA）、阻抗分析仪和热重分析（TG）研究了所制备薄膜的表面形貌、热膨胀、介电性能及热稳定性。结果表明：SiC粒子均匀分散在PI基体中,复合薄膜的热膨胀系数（CTE）随着SiC含量的增加逐渐减小,SiC质量分数为15%时,CTE降低了11%,且复合膜的热膨胀系数实验值比较接近于Kerner公式的计算值。复合膜的介电常数和介电损耗随着填料含量的变化而变化,但始终维持在较低的范围内,并在相当大的频率范围内保持稳定。

关键词：聚酰亚胺、碳化硅、热膨胀系数、介电性能、热稳定性

所属期刊栏目：28

分类号：TB332;TM215.3(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金5097700151073015

在线出版日期：2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：41-45