放电等离子烧结制备高导热SiC_P/Al电子封装材料
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放电等离子烧结制备高导热SiC_P/Al电子封装材料

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为了满足电子封装材料越来越高的性能要求,采用放电等离子烧结(SPS)工艺制备了SiC_P/Al复合材料.研究了烧结温度和保温时间等工艺条件对SiC_P/Al复合材料组织形貌和性能的影响.结果表明:采用SPS烧结,温度为700℃、保温时间为5 min时,所制备的70 vol%SiC_P/Al复合材料热导率达到195.5 W(m·K)~(-1),与传统15%W-Cu合金相当,是Kovar合金的10倍,但密度小,仅为3.0 g·cm~(-3);其热膨胀系数为6.8×10~(-6)K~(-1),与基板材料热膨胀系数接近;抗弯强度为410 MPa,抗拉强度为190 MPa,达到了电子封装材料对热学性能和力学性能的要求.

电子封装材料、放电等离子烧结、热导率

27

TB333(工程材料学)

国家高技术研究发展计划(863计划)2006AA03A135,2008AA03Z505

2017-01-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

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