CVD法制备B-C体系材料

摘要：

以BCl3-C3H6-H2为反应体系,采用化学气相沉积法(CVD)在炭纤维束上制备了B-C体系材料,研究了沉积温度的影响.利用SEM和XPS对BCx层的微结构、元素含量和化学结构进行表征,并结合化学反应过程,探讨了导致沉积产物形貌、成分和键结合状态的差异原因.结果表明,沉积温度对B-C层生长速率和断面形貌均有较大影响:900℃沉积时,沉积较慢,断面平整;1000℃时,沉积速度加快,断面呈显著片层状结构;B-C层内B元素原子含量随沉积温度升高而降低;沉积产物内B元素键结合状态有:B4C、B替代C、BC2O、BCO2和B2O3.沉积温度不仅影响B元素键结合状态,而且还影响各结合状态的含量.B4C在900℃时含量为0,在1000℃时达到最大值32.5 at%;B替代C在900℃时含量最高,然后随温度升高而下降,在1050℃时其含量又有所升高.

关键词：CVD、沉积温度、B-C体系材料、微结构、XPS

所属期刊栏目：24

分类号：TB332;TQ174.758.2(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金;长江学者和创新团队发展计划

在线出版日期：2008-03-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：103-108