C/SiC材料表面Si/SiC涂层及其对基底结构的影响

摘要：

采用泥浆预涂层反应法在C/SiC复合材料表面制备Si/SiC涂层.通过理论计算和实验确定了制备致密不开裂涂层的泥浆配比; 研究了埋粉烧结和气相硅真空反应烧结2种不同烧结气氛对Si/SiC涂层微观形貌和成分的影响; 比较了单涂层和双涂层2种不同涂层制备方法对C/SiC复合材料基底结构的影响; 用SEM观察涂层形貌,用XRD分析涂层成分与晶体结构.结果表明: 泥浆中C:Si(质量比)在1∶1.25左右制备的涂层不开裂; 埋粉烧结制备的涂层成粉,而气相硅真空反应烧结制备的涂层致密且与基底结合好; 单涂层法制备涂层后基底材料致密度高,而双涂层法制备涂层后基底仍然保持多孔结构.

关键词：Si/SiC涂层、埋粉烧结、真空反应烧结

所属期刊栏目：23

分类号：TB332(工程材料学)

资助基金：国防预研基金41312011002

在线出版日期：2006-12-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：144-148