10.3321/j.issn:1000-3851.2004.05.011
裂解工艺对先驱体转化制备Cf/SiC材料结构与性能的影响
以聚碳硅烷(PCS)/二乙烯基苯(DVB)为先驱体,经8个周期的反复真空浸渍-交联-裂解处理制备出三维编织碳纤维增强碳化硅(3D-B Cf/SiC)复合材料,考察了裂解工艺对材料结构与性能的影响.结果表明:提高裂解升温速率可以提高材料密度,形成较理想的界面结合,从而提高材料的力学性能.裂解温度对材料性能也有较大的影响,Cf/SiC复合材料在第6个周期采用1600℃裂解可以弱化纤维与基体之间的界面,提高材料致密度,材料的力学性能也得到较大改善.裂解升温速率为15℃/min,第6个周期采用1600℃裂解制备的Cf/SiC材料性能较好,弯曲强度达到556.7 MPa.
Cf/SiC材料、裂解温度、裂解速率、弯曲强度、界面、致密度
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TB332(工程材料学)
国防预研基金
2005-01-06(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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