10.3321/j.issn:1000-3851.2003.05.021
不同冷却条件下Al-Si/SiC颗粒系统二维凝固过程数值模拟
本文采用多相流模型对不同冷却条件下Al-Si/SiC系统二维凝固过程进行了数值模拟,对顶面冷却、底面冷却、侧面冷却和四面冷却条件下,无颗粒、小颗粒和大颗粒的情况进行了研究.溶质分布表明:对于分凝系数小于1的合金,先凝固的地方出现负偏析,后凝固的地方出现正偏析.顶面冷却和底面冷却时会出现A型偏析,侧面冷却和四面冷却时出现V型偏析.共晶分布验证了Scheil方程,共晶的产生会受到宏观偏析的影响,而且大颗粒的堆积会抑止共晶的产生.
功能梯度材料、凝固、冷却条件、数值模拟
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TG244.3;O35;TB330.1(铸造)
国家自然科学基金59976042
2004-04-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共9页
114-122