Si/C/N晶须的微波介电性能

摘要：

研究了Si/C/N纳米晶须的制备、组成和微波介电性能.利用CVD法制备了化学组成一定的纳米Si/C/N晶须,XRD研究发现晶须的物相主要为β-SiC.热重分析表明该晶须在700 ℃以上开始氧化,具有较好的抗氧化性.测定了Si/C/N晶须的复介电常数与作用频率的关系,并计算了介电损耗角正切.依据介电性能数据,分别设计了单层和双层吸波材料,对所设计材料的吸波性能进行了计算.对Si/C/N纳米晶须的吸波机理进行了初步的探讨.

关键词：Si/C/N、抗氧化性、复介电常数、吸波材料、吸波机理

所属期刊栏目：20

分类号：TB332(工程材料学)

资助基金：航空基金2G53045

在线出版日期：2003-09-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：34-38