10.3321/j.issn:1000-3851.2002.01.011
TiB2与BN复相陶瓷的渗流模型
试验结果证实,TiB2与BN复相陶瓷的导电性能符合渗流理论,原料粉粒度配比下,其渗流阀值为Vc%=22.9 %;原料粉粒度比的改变将改变渗流阀值,从而改变各配比下的电阻率值;TiB2与BN在SPS系统中快速烧结,晶粒的尺度比与原料粉的粒度比基本保持一致.
TiB2、BN、复相陶瓷、渗流、导电性
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TB332(工程材料学)
国家自然科学基金;国家自然科学基金
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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