10.3321/j.issn:1000-3851.1999.04.003
用聚碳硅烷为先驱体制备SiC/Si3N4纳米复相陶瓷
采用聚碳硅烷(PCS)为先驱体,利用原位生长法制备SiC/Si3N4纳米复相陶瓷,其室温弯曲强度和断裂韧性达到了637 MPa和8.10 MPa.m1/2.研究了材料微观结构的形成及断裂机理,指出在微观结构的形成过程中,控制SiC纳米微晶的生成和β-Si3N4柱状晶的生长是关键,而增韧补强的主要原因在于形成了晶内型结构和长径比大(大于7.5)的Si3N4柱状晶,从而改变了断裂机理.
先驱体、聚碳硅烷、原位生长法、SiC/Si3N4纳米复相陶瓷
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TB332(工程材料学)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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