高增益ZnO肖特基紫外光电探测器光响应特性
ZnO宽禁带半导体紫外光电探测器具有稳定性高、成本低等诸多优势,在国防、医疗、环境监测等领域具有重要的应用前景.本文采用射频磁控技术在SiO2衬底上制备了ZnO薄膜,在此基础上获得了具有高增益的金属-半导体-金属(MSM)结构的ZnO紫外光电探测器.10 V偏压下,探测器的响应度和外量子效率分别为4.90 A/W和1668%.这是由于光照情况下,半导体与金属界面处的空穴俘获产生高增益所导致的.此外,进一步研究了增益效应、外加偏压和耗尽层宽度对ZnO紫外光电探测器响应度的调控规律与影响机制,为高性能紫外光电探测器的研制与性能调控提供了重要的参考依据.
ZnO、紫外光电探测器、响应度、增益效应、耗尽层
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O472(半导体物理学)
2023-11-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共8页
1816-1823