AlGaN基深紫外LED的NiAu透明电极及其接触特性

摘要：

在p-AlGaN表面沉积Ni/Au/Ni/Au透明电极体系,通过传输线模型测试,研究了退火温度对Ni/Au/Ni/Au与p-AlGaN材料接触特性的影响.结果表明,AlGaN基深紫外LED采用Ni/Au/Ni/Au金属体系,在600℃空气氛围下退火3 min形成p型半导体材料NiO.进一步优化Ni/Au/Ni/Au体系金属厚度,当Ni/Au/Ni/Au各层厚度由20/20/20/20 nm减薄至2/2/5/5 nm,并在600℃空气氛围退火3 min,其与p-AlGaN材料的接触电阻率从3.23×10-1 Ω·cm2降到2.58×10-4 Ω·cm2.采用上述优化的Ni/Au/Ni/Au体系制备的深紫外LED器件,器件光电特性得到了改善.在150 mA驱动下工作电压低至5.8 V;通过提升电极透过率,光输出功率提升18.9％.

关键词：UV-LED、AlGaN、NiAu、欧姆接触

所属期刊栏目：44

分类号：TN312.8(半导体技术)

资助基金：山西省重点研发计划;山西省关键核心技术和共性技术研发攻关

在线出版日期：2023-06-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：898-903