Pt/β-Ga2O3深紫外肖特基光电二极管的界面载流子注入和自驱动特性

摘要：

采用金属有机化学气相沉积技术在c面蓝宝石衬底上生长氧化镓薄膜,再通过光刻、剥离、电子束蒸镀技术在氧化镓薄膜的表面制作非对称叉指电极,其中Pt/Au作为肖特基电极,Ti/Al/Ni/Au作为欧姆电极;为实现良好的欧姆接触,提升界面载流子的注入效率,对沉积Ti/Al/Ni/Au后的样品进行退火处理.相关结果表明,该Pt/β-Ga2O3 肖特基光电二极管具有良好的深紫外探测水平.在-5 V偏压下,响应度和外量子效率分别为3.4 A/W和1.66×103％.探测器的探测度高达1013 Jones,表明其具有优异的弱信号探测能力.同时,响应度和外量子效率整体都随着光强增大而减小,这是由于较高的光生载流子浓度提高了电子-空穴对的复合机率.在自驱动模式下,该Pt/β-Ga2O3肖特基光电二极管展现出较快的响应速度,响应度为2.69 mA/W.此外,探测器在-100 V和+100 V的高压下仍然能够稳定运行,说明该探测器具有较好的耐高压稳定性.

关键词：氧化镓、肖特基光电二极管、紫外探测、自驱动

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分类号：O484.4;TN312(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金;国家重点研发计划;南京邮电大学引进人才科研启动基金项目

在线出版日期：2023-06-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：881-888