高应变InGaAs/GaAs多量子阱中的局域态问题

摘要：

针对高应变InGaAs/GaAs多量子阱中存在的局域态问题,利用金属有机化合物气相外延(MOCVD)技术,设计并生长了五周期的In0.3Ga0.7As/GaAs高应变多量子阱材料.通过原子力显微镜(Atomic force micro?scope,AFM)和变温光致发光(Photoluminescence,PL)测试,发现量子阱内部存在缺陷及组分波动的材料无序性表现,验证了多量子阱内部局域态的存在及起源.同时发现在不同测试位置,局域态在低温下对光谱的影响也不同,分别表现为双峰分布和峰位"S"型变化.这进一步说明材料内部无序化程度不同,导致局域态的深度也不同.依据温度?带隙关系的拟合,提出了包含局域态的多量子阱材料的电势分布,并揭示了局域态载流子和自由载流子的复合机制.并且借助变功率PL测试,研究了在不同激发功率密度下不同深度的局域态的发光特性.

关键词：InGaAs/GaAs多量子阱、局域态、高应变、金属有机化合物气相外延(MOCVD)

所属期刊栏目：44

分类号：O482.31(固体物理学)

资助基金：吉林省科技发展计划;重庆市自然科学基金

在线出版日期：2023-05-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：627-633