新型黄色长余辉材料γ-SrGa2O4:Bi3+的制备及性能

摘要：

长余辉材料中的深陷阱具有优异的能量存储和释放性能,因此在光学信息存储方面有很大应用优势.本文采用高温固相法合成了新型黄色长余辉材料γ-SrGa2O4:Bi3+,其发射光谱是以565 nm为中心、范围为400～800 nm的宽带发射,该发射归属于Bi3+离子的3P1→1S0跃迁.在紫外灯照射后,观察到γ-SrGa2O4:Bi3+样品明亮的黄色长余辉发光.通过热释光谱分析可知γ-SrGa2O4:Bi3+中主要有三种陷阱,其深度分别为0.678,0.838,0.978 eV.深度为0.678 eV的浅陷阱是该材料产生长余辉现象的主要原因,而深度为0.838 eV的深陷阱对应的热释峰强度在12 h后仅下降18.6％,这说明深陷阱中电子释放缓慢.基于材料的深陷阱性能,设计了字母图案并对其进行光学信息存储实验,结果表明该材料在信息存储方面有潜在应用前景.

关键词：信息存储、γ-SrGa2O4:Bi3+、黄色长余辉、陷阱

所属期刊栏目：43

分类号：O482.31(固体物理学)

资助基金：北方稀土项目NERE201908

在线出版日期：2022-11-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：1542-1551