窄带型Eu2+掺杂荧光粉理论研究进展

摘要：

近年来,用于制备白光发光二极管(LED)的窄带发射荧光粉在降低能源消耗、提高白光质量以及保持色度稳定等方面具有重要作用,因而被研究者们广泛关注.Eu2+离子独特的4f-5d跃迁以及与局部环境的依赖性,为制备窄带发射荧光粉提供了可能.但是,目前窄带发射的理论尚不完备,大多Eu2+掺杂窄带发射荧光粉的研发均基于大量的重复性试验.本文以位形坐标模型为基础,从理论计算方面对窄带型Eu2+掺杂荧光粉的研究进行综述,重点讨论局部配位环境、晶体结构、斯托克斯位移以及耦合声子频率等因素对Eu2+离子发射半峰宽(FWHM)的影响,期望为新型Eu2+掺杂窄带发射荧光粉提供理论依据.

关键词：Eu2+掺杂荧光粉、窄带发射、配位环境、斯托克斯位移、声子频率

所属期刊栏目：43

分类号：O482.31(固体物理学)

资助基金：河北省自然科学基金;燕山大学基础创新科研培育项目

在线出版日期：2022-10-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：1405-1412