晶格中的缺陷与材料发光性质关系研究进展
发光材料的优化与改善一直是相关领域研究的热点.形成于晶体生长/制备过程中的晶格缺陷与载流子迁移存在密切关联,可通过人工调控缺陷的方式对载流子的迁移进行调控,进而改善其发光性能,这对发光材料的开发与应用具有重要意义.研究发现,通过在特定三维网状结构中掺杂过渡或稀土金属离子,因不等价阳离子取代而产生的相应点缺陷,不仅可以有效促进变价激活离子的价态降低,而且还会协同本征缺陷形成功能性陷阱能级,实现载流子的存储和在外界激励下响应的动态平衡,进而改善材料的发光性能甚至带来新的发光特性.本文较系统地梳理了点缺陷与样品发光性能之间的内在耦合机制和调控方式,以期对后续新型光电功能晶态材料的研发和探索提供有意义的启示.
晶格缺陷、自还原、热稳定性、长余辉发光、应力发光
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O482.31(固体物理学)
国家自然科学基金;国家自然科学基金
2022-10-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共19页
1361-1379