Ag纳米线增强硒微米管/聚噻吩自驱动光电探测器性能

摘要：

自驱动光电探测器能够满足现代光电器件对节能和轻质的需求,但复杂的工艺和较高的成本限制了其进一步发展.本文采用旋涂法将硒微米管(Se?MT)和聚噻吩(PEDOT)制备成Se?MT/PEDOT异质结,其器件在350～700 nm波长下具有良好的光响应,无偏置电压下的响应度为8 mA/W(500 nm).为了提高器件的光响应度,利用银纳米线(Ag?NW)修饰异质结制备Se?MT/PEDOT/Ag-NW,增强异质结在紫外?可见光区的光吸收并提高器件的光电性能.与Se?MT/PEDOT器件对比,Se?MT/PEDOT/Ag?NW器件在350～700 nm波长下的光电流数值整体上升,特别是在0 V偏压500 nm光照下,器件的响应度提升至65 mA/W(增强800％),开关比增强400％达到552,上升和下降时间明显下降至15 ms和28 ms.这一结果表明Ag?NW改性有机/无机异质结的方法可以应用于高性能光电探测器的制备.

关键词：异质结、银纳米线、自驱动、光电探测器

所属期刊栏目：43

分类号：O482.31;TN304(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金;中国博士后科学基金资助项目

在线出版日期：2022-09-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：1273-1280