基于GaN微米阵列结构的单芯片白光LED有源区InGaN/GaN多量子阱结构设计

摘要：

通过模拟仿真对双波长堆叠的c面InGaN/GaN多量子阱(MQWs)发光二级管的载流子浓度、自发辐射复合率以及极化电场等进行了研究.结果表明,通过调节双波长堆叠的InGaN多量子阱的阱层和垒层厚度,可调控载流子特别是空穴在量子阱有源区的分布,实现双波长发光峰比例调制.进而考察了在相同外延条件下生长的半极性面InGaN/GaN堆叠量子阱LED的发光特性.在此基础上,提出基于多波长堆叠InGaN/GaN多量子阱结构的c面和{1011}或{1122}半极性面混合的单芯片白光LED设计方案,通过调节c面发光光谱在混合光谱中的比例,可获得覆盖大部分可见光波段、色温从4500～9000 K可调、且显色指数最高可达91.3的白光.

关键词：单芯片白光LED、半极性面、InGaN、极化效应

所属期刊栏目：43

分类号：O482.31(固体物理学)

资助基金：国家重点研发计划;国家自然科学基金;福建省自然科学基金项目;厦门市重大科技项目

在线出版日期：2022-08-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：1130-1138