2D/3D混合Sn基钙钛矿/SnO2异质结光探测器
制备了平面结构2D/3D混合钙钛矿(PEA)0.15FA0.85SnI3/SnO2异质结光探测器.研究发现,SnO2薄膜的引入可以调控(PEA)0.15FA0.85SnI3薄膜的晶体生长过程,有助于获得致密的连续薄膜.在520 nm单色光辐照下,器件的响应度高达3.19×105 A/W,相应的探测率为6.39×1015 Jones.在808 nm单色光辐照下,器件的响应度和探测器率也可分别达到1.70×104 A/W和7.28×1013 Jones.相关性能明显高于(PEA)0.15FA0.85SnI3单层薄膜光探测器.器件性能的提高一方面是由于钙钛矿薄膜表面形貌的改善,提高了器件的吸收效率和载流子收集效率;另一方面是由于(PEA)0.15FA0.85SnI3和SnO2之间形成了p-n结结构,从而有效提高了钙钛矿薄膜中的光生电子-空穴对的分离效率,降低了电子和空穴的复合几率.同时,(PEA)0.15FA0.85SnI3/SnO2界面处特殊的能级结构也可诱导器件产生光电导增益.
光探测器、Sn基钙钛矿、异质结、2D/3D混合结构、SnO2
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O475.31;O482.7(半导体物理学)
福建省自然科学基金面上项目;福建省自然科学基金面上项目;泉州市科技计划资助项目
2022-08-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共9页
1121-1129