砷化镓热氧化法制备β-Ga2O3体块薄膜

摘要：

通过对p型砷化镓(p-GaAs)单晶衬底高温热氧化方法制备了β-Ga2O3体块薄膜.探讨了高温氧化过程中O2流量对β-Ga2O3体块薄膜形貌的影响.通过对体块薄膜的晶体质量、结构特性、光致发光特性的测试分析,可以发现在高温高氧环境下GaAs转变为β-Ga2O3体块薄膜的过程与Langmuir蒸发相关.当O2流量较低时(0.2 L/min),GaAs衬底处于缺氧状态,所制备样品呈现纳米线状形貌;而当通入O2流量超过0.4 L/min时,GaAs衬底被完全氧化为具有纳米岛状结构的β-Ga2O3体块薄膜,且晶体质量得到显著提高.本文提出的砷化镓单晶热氧化工艺可以高效、低成本地获得较高结晶质量的纳米结构β-Ga2O3体块薄膜,对于β-Ga2O3材料的应用具有极大的丰富作用.

关键词：热氧化、纳米岛状体块薄膜、β-Ga2O3、氧气流量

所属期刊栏目：43

分类号：O482.31(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金61774072

在线出版日期：2022-08-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1095-1101