不同功率O2或N2等离子处理TiNx阳极表面对硅基OLED发光性能的影响

摘要：

硅基有机发光二极管是微显示领域的一个重要研究方向.本文以硅基微显示器件中阳极与有机层关键界面材料氮化钛为研究对象,通过研究不同条件的等离子处理引起的表面微结构形貌、功函数、载流子浓度、载流子迁移率、反射率以及X射线光电子能谱变化,探究有机发光性能的表面处理方法.结果显示,合适功率的等离子处理(O2:60 W或N2:80 W)能够显著提升硅基显示器件的发光亮度(O2:70％,N2:128％);同时,电流效率和功率效率分别提高了35％和58％.通过比较各个参数,等离子处理改变的Ti和N元素的价态被认为可提高界面载流子浓度和迁移率从而优化发光性能.该研究细化了一种新颖的硅基显示器件性能提升方法,为相关研究提供了方向.

关键词：等离子处理、硅基OLED、氮化钛、载流子浓度及迁移率

所属期刊栏目：43

分类号：TN383+.1(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;上海市科委项目;上海市科委项目;新型显示技术;教育部重点实验室开放基金

在线出版日期：2022-07-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共10页

页码：934-943