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10.37188/CJL.20220055

低热猝灭新型Sr3Ga2Ge4O14:Sm3+橙红色荧光粉

引用
采用高温固相法制备一系列新型Sr3-xGa2Ge4O14:xSm3+(x=0~0.20)及Sr2.88Ga2Ge4O14:0.06Sm3+,0.06M(M=Li+,Na+,K+)荧光粉,通过物相形貌、荧光光谱、热稳定性及CIE色度坐标等分析手段对样品性能进行了详细研究.根据不同掺杂浓度Sr3-xGa2Ge4O14:xSm3+的荧光发射谱,发现Sm3+最佳掺杂浓度为x=0.06,其荧光浓度猝灭归因于Sm3+之间的电偶极-电偶极相互作用.研究发现,通过共掺杂M(M=Li+,Na+,K+)做电荷补偿离子可以提升Sr3-xGa2Ge4O14:xSm3+的发光性能.此外,随着Sm3+掺杂浓度提高,其荧光寿命不断减小.最后探讨了Sr3-xGa2Ge4O14:xSm3+的CIE色度坐标和热稳定性,其CIE色度坐标位于橙红光区域,且在423 K的发光强度大概为其室温的95%.研究表明,Sr3-xGa2Ge4O14:xSm3+作为新型橙红荧光粉有望应用于白光发光二极管(WLED).

Sr3Ga2Ge4O14、Sm3+、电荷补偿剂、光致发光、白光发光二极管(WLED)

43

O482.31(固体物理学)

福建省自然科学基金资助项目2020J01297

2022-07-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共12页

879-890

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