In0.49Ga0.51P材料有序度对发光特性的影响

摘要：

In0.49Ga0.51P材料因与GaAs晶格匹配且具有较宽的能量带隙,在GaAs基短波长激光器和无铝激光器等研究方向上受到了广泛关注.不同领域的应用对In0.49Ga0.51P材料的性能提出了不同的需求,导致In0.49Ga0.51P材料的有序度发生变化,进而导致其发光特性发生改变.本文利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在半绝缘的GaAs衬底上开展In0.49Ga0.51P材料有序度对其发光特性影响的研究.通过改变硅烷(SiH4)和二乙基锌(DEZn)掺杂剂的掺杂流量和Ⅴ/Ⅲ比的方法来改变In0.49Ga0.51P材料的有序度.室温光致发光测试(PL)和低温PL测试结果表明,两种掺杂剂掺杂流量增加都会导致In0.49Ga0.51P有序度降低,从而使InGaP的发光波长蓝移.此外,Ⅴ/Ⅲ比增加会导致In0.49Ga0.51P有序度增加,使样品的发光波长红移.

关键词：金属有机化学气相沉积、铟镓磷/镓砷、光致发光、故意掺杂

所属期刊栏目：43

分类号：O482.31(固体物理学)

资助基金：吉林省科技发展计划;重庆市自然科学基金资助项目

在线出版日期：2022-07-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：862-868