基于不同ZnSe壳层厚度的InP/ZnSe/ZnS量子点光电性能

摘要：

磷化铟(InP)量子点(QDs)由于其不含重金属元素和出色的光电特性,在量子点发光二极管(QLED)领域引起了广泛关注.本文以ZnSe和ZnS作为壳层来制备绿色InP/ZnSe/ZnS QDs,通过调控ZnSe壳层的厚度得到不同发光性能的QDs.当Se粉与Zn(St)2的质量比为1:15时,InP/ZnSe/ZnS QDs的荧光发射峰为522 nm,半峰宽为45 nm,荧光量子效率高达86％.同时制备了基于不同ZnSe壳层厚度的QLED,并利用真空蒸发的方式去除QDs薄膜中残留的有机溶剂,避免了高温退火对QDs性能的破坏,最终得到稳定工作QLED器件,其最佳外量子效率为2.2％.

关键词：磷化铟量子点、荧光量子效率、发光二极管

所属期刊栏目：43

分类号：O482.31(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金62075043

在线出版日期：2022-04-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：501-508