基于TiO2修饰层的量子点发光二极管设计及其性能
量子点发光二极管(QLEDs)具有色饱和度和色纯度高等优点,在照明与显示领域具有广泛应用前景,成为发光领域研究的热点之一.由于器件采用多层结构,表面和界面问题成为制约QLEDs发展的一个棘手问题.本文使用原子层沉积技术在氧化锌(ZnO)电子传输层和量子点(QDs)发光层之间插入不同厚度的二氧化钛(TiO2)薄层,对ZnO和QDs发光层之间的界面进行修饰.发现插入0.270 nm的TiO2后,器件的漏电流降低约一个量级,激子的平均寿命从15.94 ns增加到16.61 ns,说明插入TiO2修饰层可以有效降低QDs发光层中激子猝灭,从而提高器件在低驱动电压下的电流效率(约提高15％).上述结果有望为QLEDs在照明和显示领域的产业化提供参考.
量子点、发光二极管、二氧化钛、界面修饰
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TN312.8(半导体技术)
国家自然科学基金;江苏省自然科学基金;江苏省高等学校自然科学研究面上项目
2022-04-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共7页
381-387
