双电层氧化锌薄膜晶体管偏压应力稳定性

摘要：

以环保可降解的天然生物材料制备功能器件越来越受到关注,利用天然鸡蛋清作为栅介质层,采用射频磁控溅射法在其上沉积ZnO薄膜有源层,制备低压双电层氧化锌基薄膜晶体管(ZnO-TFT)并对其电学特性进行了表征,研究了器件在栅偏压和漏偏压应力下电性能的稳定性及其内在的物理机制.该ZnO-TFT器件呈现出良好的电特性,载流子饱和迁移率为5.99 cm2/(V·s),阈值电压为2.18 V,亚阈值摆幅为0.57 V/dec,开关电流比为1.2×105,工作电压低至3 V.研究表明,在偏压应力作用下,该ZnO-TFT器件电性能存在一定的不稳定性,我们认为栅偏压应力引起的电性能变化可能来源于栅介质附近及界面处的正电荷聚集、充放电效应和新陷阱态的复合效应;漏偏压应力引起的电性能变化可能来源于焦耳热引起的氧空位及沟道中的电子陷阱.

关键词：薄膜晶体管;氧化锌;双电层;偏压应力;稳定性

所属期刊栏目：43

分类号：TN321+.5(半导体技术)

资助基金：广东省普通高校重点领域专项;国家自然科学基金;广东省基础与应用基础研究基金;汕尾职业技术学院科研项目

在线出版日期：2022-01-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：129-136