量子垒高度对深紫外LED调制带宽的影响

摘要：

AlGaN基深紫外LED由于具有高调制带宽和小芯片尺寸,在紫外光通信领域受到越来越多的关注.本研究通过改变生长AlGaN量子垒层的Al源流量,生长了三种具有不同量子垒高度的深紫外LED,研究了量子垒高度对深紫外LED光电特性和调制特性的影响.研究发现,随着量子垒高度的增加,深紫外LED的光功率出现先增加后减小的趋势,量子垒中Al组分为55％的深紫外LED的光功率相比50％和60％的深紫外LED提升了近一倍.载流子寿命则出现先减小后增大的趋势,且发光峰峰值波长逐渐蓝移.APSYS模拟表明,随着量子垒高度增加,量子垒对载流子的束缚能力增强,电子空穴波函数空间重叠增加,载流子浓度和辐射复合速率增加;但进一步增加量子垒高度又会由于电子泄露,空穴浓度降低,从而辐射复合速率降低.量子垒中Al组分为55％的深紫外LED的-3 dB带宽达到94.4 MHz,高于量子垒Al组分为50％和60％的深紫外LED.

关键词：紫外光通信;深紫外发光二极管;多量子阱层;调制带宽;发光功率

所属期刊栏目：43

分类号：TN383+.1;TN929.12(半导体技术)

资助基金：国家重点研发计划;国家自然科学基金;北京自然科学基金资助项目

在线出版日期：2022-01-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1-7