复合成核层对InGaN基黄光LED内量子效率的影响

摘要：

开发了一种由溅射AlN层和中温GaN层组成的复合成核层来提高黄光LED的内量子效率.系统地研究了在溅射AlN成核层和复合成核层上生长的InGaN基黄光LED的晶体质量和光学性能,揭示了复合成核层对黄光LED内量子效率的影响机制.分别采用透射电子显微镜、X射线衍射、拉曼光谱、变温光致发光谱和电致发光谱对黄光LED进行表征分析.结果发现,复合成核层能够诱导产生堆垛层错,可以有效降低外延层中的位错密度和残余应力.在溅射AlN成核层和复合成核层上生长的黄光LED外延层中的位错密度分别为5.04×108 cm-2和3.98×108 cm-2,压应力分别为482.71 MPa和266.38 MPa.通过变温光致发光谱计算得到在溅射AlN成核层和复合成核层上生长的黄光LED的内量子效率(室温295 K)分别为12.5％和29.8％.

关键词：黄光发光二极管;成核层;内量子效率;堆垛层错;压电极化

所属期刊栏目：42

分类号：TN312.8(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;国家"万人计划"青年拔尖人才支持计划资助项目

在线出版日期：2021-12-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1914-1920