俄歇复合、电子泄漏和空穴注入对深紫外发光二极管效率衰退的影响

摘要：

研究了俄歇复合、电子泄漏和空穴注入对深紫外发光二极管(DUV LED)效率衰退的影响.结果 表明,当俄歇复合系数从10-32 cm6·s-1增大到10-30 cm6·s-1时,俄歇复合对效率衰退的影响很小.当俄歇复合系数增大到10-29 cm6·s-1时,俄歇复合对效率衰退有显著的影响.然而,对于AlGaN材料而言,俄歇复合系数很难达到10-29 cm6·s-1.此外,本研究还发现,即使设置的俄歇复合系数等于10-32 cm6·s-1,DUV LED的效率衰退依旧随着电子泄漏的增加而增大.因此,这进一步证明了电子泄漏是导致DUV LED效率衰退的主要因素.此外,本工作还证明了空穴注入效率的提高可以有效地抑制DUV LED的效率衰退问题,这主要是由于更多的电子与空穴在量子阱中复合产生了光子,降低了电子从有源区中泄漏的几率.

关键词：深紫外发光二极管;俄歇复合;电子泄漏;空穴注入;效率衰退

所属期刊栏目：42

分类号：TN312.8(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;河北工业大学省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室研究项目;东旭集团与河北工业大学联合研究项目;State Key Laboratory of Reliability and Intel-ligence of Electrical Equipment,Hebei University of Technology;The Joint Research Project for Tungsu Group and Hebei University of Technology

在线出版日期：2021-11-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：897-903