SiO2图形化蓝宝石衬底对GaN生长及LED发光性能的影响
为了提高氮化镓(GaN)基发光二极管(LEDs)的发光性能,采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在蓝宝石衬底上沉积SiO2薄膜,经过光刻和干法刻蚀技术制备了SiO2图形化蓝宝石衬底(SiO2 patterned sap-phire substrate,SPSS),利用LED器件的外延生长和微纳加工技术获得了基于SPSS的GaN基LED器件.通过分析GaN外延层晶体质量、光提取效率和LED器件性能,重点研究了SPSS对GaN生长及LED发光性能的影响.实验及模拟仿真结果表明,与常规图形化蓝宝石衬底(Conventional patterned sapphire substrate,CPSS)相比,SPSS上生长的GaN外延层位错密度较低,晶体质量较高,SPSS-LED的光提取效率提高26%、光输出功率和亮度均提高约5%.
SiO2蓝宝石复合衬底、LED芯片、位错密度、GaN、光提取效率
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TN312.8(半导体技术)
厦门大学与福建中晶科技有限公司合作项目XDHT2018582A
2021-06-23(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共8页
526-533