SiO2图形化蓝宝石衬底对GaN生长及LED发光性能的影响

摘要：

为了提高氮化镓(GaN)基发光二极管(LEDs)的发光性能,采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在蓝宝石衬底上沉积SiO2薄膜,经过光刻和干法刻蚀技术制备了SiO2图形化蓝宝石衬底(SiO2 patterned sap-phire substrate,SPSS),利用LED器件的外延生长和微纳加工技术获得了基于SPSS的GaN基LED器件.通过分析GaN外延层晶体质量、光提取效率和LED器件性能,重点研究了SPSS对GaN生长及LED发光性能的影响.实验及模拟仿真结果表明,与常规图形化蓝宝石衬底(Conventional patterned sapphire substrate,CPSS)相比,SPSS上生长的GaN外延层位错密度较低,晶体质量较高,SPSS-LED的光提取效率提高26％、光输出功率和亮度均提高约5％.

关键词：SiO2蓝宝石复合衬底、LED芯片、位错密度、GaN、光提取效率

所属期刊栏目：42

分类号：TN312.8(半导体技术)

资助基金：厦门大学与福建中晶科技有限公司合作项目XDHT2018582A

在线出版日期：2021-06-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：526-533