InGaAs/GaAsP应变补偿多量子阱MOCVD生长

摘要：

利用金属有机化学气相沉积技术在GaAs衬底上开展了大失配InGaAs多量子阱的外延生长研究.针对InGaAs与GaAs之间较大晶格失配的问题,设计了GaAsP应变补偿层结构;通过理论模拟与实验相结合的方式,调控了GaAsP材料体系中的P组分,设计了P组分分别为0,0.128,0.184,0.257的三周期InxGa1-xAs/GaAs1-yPy多量子阱结构;通过PL、XRD、AFM测试对比发现,高势垒GaAsP材料的张应变补偿可以改善晶体质量.综合比较,在P组分为0.184时,PL波长1043.6 nm,半峰宽29.9 nm,XRD有多级卫星峰且半峰宽较小,AFM粗糙度为0.130 nm,表面形貌显示为台阶流生长模式.

关键词：金属有机化学气相沉积、InGaAs/GaAsP、应变补偿、多量子阱、晶格失配

所属期刊栏目：42

分类号：TN304.2(半导体技术)

资助基金：吉林省科技发展计划20190302052GX

在线出版日期：2021-06-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：448-454