二维WSe2场效应晶体管光电性能

摘要：

自石墨烯被发现以来,随着人们不断的研究和探索,越来越多具有类似结构的二维材料因其优异的光电性质相继被发现和研究.过渡金属硫族化合物(TMDs)因其丰富的物理性质而受到广泛关注.本文研究了三层二硒化钨(WSe2)纳米片的光电性能.利用范德华力将WSe2转移到SiO2/Si衬底的Au电极上,用银浆引出背栅电极,制备了WSe2场效应晶体管,其载流子迁移率为3.42 cm2/(V·s).WSe2场效应晶体管在630 nm波长下探测器响应度为0.61 A/W,器件的光响应恢复时间为1900 ms.

关键词：二维半导体材料、过渡金属硫族化物、二硒化钨、光电探测

所属期刊栏目：42

分类号：TN386(半导体技术)

资助基金：高等学校学科创新引智计划计划;吉林省科技发展计划;吉林省科技发展计划;吉林省科技发展计划

在线出版日期：2021-06-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：257-263