基于离子注入制备的InGaN横向Micro-LED阵列

摘要：

采用离子注入工艺在InGaN/GaN量子阱蓝光LED结构的p-GaN层形成高阻态隔离区域,实现了最小4μm超小尺寸高光效Micro-LED阵列的制备,并系统研究了氟离子注入隔离工艺制备的横向结构Micro-LED阵列的电学和光学性能.实验结果表明,在采用的离子注入能量范围内,氟离子在p-GaN层中的注入深度越深,对应器件的电学和光学隔离效果越好.当离子注入能量为60 keV时,Micro-LED阵列具有相对最佳的光电效果,同时基于该离子注入能量制备的4μm超小尺寸Micro-LED阵列的光功率密度高达200 W/cm2,展现了离子注入工艺在新一代Micro-LED微显示芯片中的应用潜力.

关键词：蓝光Micro-LED、离子注入隔离、氮化镓、横向结构、高光功率密度

所属期刊栏目：42

分类号：TN312.8(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金;江苏省自然科学基金;微波毫米波单片集成;模块电路重点实验室的开放项目

在线出版日期：2021-06-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：215-222