具有高光开关比和高响应度的单根In2O3纳米线紫外光电晶体管

摘要：

In2 O3纳米线由于其独特性质而成为紫外光电探测器的潜力候选者,目前,In2 O3纳米线基紫外光电探测器已被广泛研究,但较大的暗电流限制了其进一步应用.本文制备了In2 O3纳米线紫外光电晶体管,通过背栅电压的调制作用,器件中的暗电流几乎被全部耗尽,同时,由于光照下的阈值偏移,栅压对光电流的影响较小.最终得到具有高光开关比(1.07×108)和高响应度(5.58×107 A/W)的单根In2 O3纳米线紫外光电晶体管,性能明显优于之前报道的In2 O3纳米结构光电探测器.本工作促进了In2 O3纳米线在下一代纳米光电子器件和集成电路中的应用.

关键词：In2O3纳米线、紫外、光电晶体管、响应度

所属期刊栏目：42

分类号：O472.8(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家重点实验室基金;吉林省科技发展计划;吉林省教育厅项目;长春理工大学青年基金

在线出版日期：2021-06-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：208-214