氧化镓微晶薄膜制备及其日盲深紫外探测器

摘要：

采用射频磁控溅射技术和热退火技术在石英衬底上制备了微晶态Ga2 O3薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱(Raman)、紫外-可见-红外分光光度计(UV-Vis-IR)以及X射线光电子能谱仪(XPS)等手段对薄膜结构、光学特性以及化学组分进行了系统研究.结果表明,制备的Ga2 O3薄膜呈非晶态,退火处理后,薄膜由非晶态转变为含β相Ga2 O3的微晶薄膜,随退火温度升高,薄膜内部微晶成分不断增加,但最终在石英衬底上制备的薄膜并未全部转换成全晶态薄膜(β-Ga2 O3).基于非晶和微晶Ga2 O3薄膜制备了金属-半导体-金属(MSM)结构的日盲深紫外探测器,发现非晶Ga2 O3薄膜基器件表现出更高的光响应,而微晶Ga2 O3薄膜基器件则具有更低的暗电流和更快的响应速度.

关键词：氧化镓、微晶、光电性能、日盲紫外探测器

所属期刊栏目：41

分类号：O482.31(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金;重庆市教委科学技术研究项目

在线出版日期：2020-09-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1165-1171