Ⅲ-Ⅴ化合物的范德华外延生长与应用

摘要：

Ⅲ-Ⅴ化合物半导体材料体系带隙涵盖范围广、载流子迁移率高,非常适宜用来制备发光二极管、激光器、高电子迁移率晶体管等光电子器件.在异质衬底上进行Ⅲ-Ⅴ化合物的共价外延时,只有外延层与衬底层间的晶格失配度较小时才能获得高质量外延层,而范德华外延已被证实可以有效放宽外延层与衬底层间晶格失配与热失配要求,有利于外延层的应力释放与质量提高,同时也易于外延层从衬底上剥离转移,为制备Ⅲ-Ⅴ化合物基新型光电子器件提供了便利.本文对二维(2D)材料、Ⅲ-Ⅴ化合物在石墨烯上的范德华外延过程以及使用范德华外延制备的Ⅲ-N基光电子器件的各项研究进行了讨论分析,并对其前景进行了展望.

关键词：石墨烯、范德华外延、Ⅲ-Ⅴ化合物

所属期刊栏目：41

分类号：O484.1(固体物理学)

资助基金：国家重点研发计划;国家自然科学基金

在线出版日期：2020-08-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共14页

页码：899-912