高增益GaN基PIN雪崩二极管的制备及p-GaN层载流子浓度的估算
介绍了GaN基pin雪崩探测器的制作过程和测试结果.制作的器件在71 V反向偏压下发生雪崩,倍增因子达到5×104.我们发现,p层载流子浓度是影响器件性能的重要参数.结合电场强度分布的分析,本文提出了一种估算p层载流子浓度的方法,进一步计算得到刚好雪崩击穿时的最大电场值为2.6 MV/cm,与以往GaN雪崩器件所报道的研究结果相似.最后,霍尔测试和SIMS测量p层载流子浓度的结果与模型计算的估算值吻合.
氮化镓、雪崩探测器、泊松方程
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TN36(半导体技术)
国家重点研发计划;国家自然科学基金;科学挑战计划
2020-06-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共7页
707-713
