基于InP/ZnS核壳结构量子点的色转换层设计及制作

摘要：

提出了采用环境友好型InP/ZnS核壳结构量子点材料制备匹配蓝光Micro-LED阵列的量子点色转换层以实现Micro-LED阵列器件全彩化的技术方案.通过采用倒置式量子点色转换层方案,实现了InP/ZnS量子点材料和Micro-LED阵列的非直接接触,从而可以缓解LED中热量聚集导致的量子点材料发光主波长偏移、半峰宽展宽以及发光效率衰减等问题.量子点色转换层中内嵌PDMS聚合物柔性膜层,可以消除咖啡环效应,同时,色转换层中内嵌飞秒激光图案化处理的500 nm长波通滤光膜层,可以抑制蓝光从非蓝色像素单元出射.最后,实验制备了像素单元中心间距90μm的16×16 InP/ZnS量子点色转换层.该设计可以实现基于蓝光Micro-LED阵列的全彩色Micro-LED显示器件的制备,并且该制备方法可以降低全彩色Micro-LED阵列显示器件的制备成本.

关键词：Micro-LED、InP/ZnS量子点材料、色转换层、全彩显示器件

所属期刊栏目：41

分类号：TP394.1;TH691.9(计算技术、计算机技术)

资助基金：国家重点研发项目;广东省科技计划;吉林省科技发展计划;应用光学国家重点实验室;中国科学院青年创新促进会基金

在线出版日期：2020-05-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共11页

页码：592-602